Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC120AM20CT1AG
MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTMC120AM20CT
APTMC120AM20CT1AG Hakkında
APTMC120AM20CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET dizi ünitesidir. Faz ayağı konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ve 143A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 17mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 600W maksimum güç yönetebilen bu transistör, yüksek gerilim güç dönüştürme uygulamalarında, endüstriyel sürücüler, renewable enerji sistemleri ve elektrik araç şarj sistemlerinde kullanılmaktadır. SP1 kasa türü ile chassis mount konfigürasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 143A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5960pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok