Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC120AM16CD3AG
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- APTMC120AM16CD
APTMC120AM16CD3AG Hakkında
APTMC120AM16CD3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/131A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET yarım köprü (half bridge) modülüdür. 20mOhm RDS(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. D-3 chassis mount pakette sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen yapısı, endüstriyel güç dönüştürücüleri, elektrikli araç sürücüleri, güneş enerjisi inverter sistemleri ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. 625W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve hızlı anahtarlama özelliği ile verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 131A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | D-3 Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | D3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok