Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC120AM09CT3AG
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTMC120AM09CT3
APTMC120AM09CT3AG Hakkında
APTMC120AM09CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V 295A kapasitesinde Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 2 kanal N-channel MOSFET fase bacağı dizisidir. SP3 chassis mount paketinde sunulan bu bileşen, 9 mOhm (20V, 200A) on-state direnç ile düşük kayıp özellikleri sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, maksimum 1250W güç dağıtabilir. 644nC gate yükü ve 11nF input kapasitesi (1000V'de) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılan endüstriyel seviye bir MOSFETdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 295A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 644nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 200A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 40mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok