Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC120AM08CD3AG
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- APTMC120AM08CD3
APTMC120AM08CD3AG Hakkında
APTMC120AM08CD3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/250A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET modülüdür. 2N-Channel Half-Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamaları için geliştirilmiştir. 10mΩ on-state direnci (Rds On) ve düşük gate charge karakteristiği ile verimli anahtarlama performansı sunar. Maksimum 1100W güç kapasitesine sahiptir. D-3 modül paketinde Chassis Mount olarak sunulan ürün, -40°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Endüstriyel güç dönüştürme sistemleri, UPS cihazları, elektrik araçları ve rüzgar enerjisi uygulamalarında kullanılır. Aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 490nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | D-3 Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 200A, 20V |
| Supplier Device Package | D3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok