Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM60H23FT1G
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTM60H23FT1G
APTM60H23FT1G Hakkında
APTM60H23FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonlu MOSFET transistör dizisidir. 600V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 276mOhm (10V, 17A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate şarj miktarı 165nC (10V) ve giriş kapasitansi 5316pF (25V) olarak belirlenmiştir. SP1 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 208W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, inverter devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 276mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok