Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM60A23FT1G

MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTM60A23FT1G

APTM60A23FT1G Hakkında

APTM60A23FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu bir MOSFET dizisidir. 600V Drain to Source voltaj (Vdss) ve 20A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 276mOhm on-state direnci (Rds On) ve 165nC gate charge ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. 5V threshold voltajı ile standart kontrol sinyalleri ile uyumludur. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. SP1 Chassis Mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Ürün mevcut durumu Obsolete olup, yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5316pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 208W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok