Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM60A11FT1G
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTM60A11FT1G
APTM60A11FT1G Hakkında
APTM60A11FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 40A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 390W güç kapasitesine sahip bu bileşen, 132mOhm (33A, 10V koşullarında) düşük Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate Charge 330nC @ 10V ve Input Capacitance 10552pF @ 25V olarak belirtilmiştir. Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 150°C arasındadır. SP1 kasa tipi ile Chassis Mount montajına uygun olan bu transistör, anahtar kaynakları, güç dönüştürücüler, inverterler ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10552pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok