Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM50DDAM65T3G
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM50DDAM65T3G
APTM50DDAM65T3G Hakkında
APTM50DDAM65T3G, Microchip Technology tarafından üretilen 500V 51A kapasiteli dual N-channel MOSFET transistörüdür. SP3 chassis mount paketi ile sağlanan bu bileşen, maksimum 390W güç tüketiminde çalışabilir. 78mΩ (25.5A, 10V'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. 140nC gate charge ve 7000pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol üniteleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 25.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok