Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM20DHM08G

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

Paket/Kılıf
SP6
Seri / Aile Numarası
APTM20DHM08G

APTM20DHM08G Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen APTM20DHM08G, 200V drain-source gerilimi ve 208A sürekli drain akımına sahip çift N-kanallı asimetrik MOSFET'tir. SP6 kasa tipi ile Chassis Mount konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, 10mΩ (104A, 10V koşullarında) RDS(on) değerine ve 781W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 280nC (@10V), input capacitance ise 14400pF (@25V) olarak belirtilmiştir. Threshold voltage 5V (@5mA) ile hızlı anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Yüksek akım endüstriyel anahtarlama, motor kontrolü ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilen bir komponenttir. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 208A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Part Status Obsolete
Power - Max 781W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 104A, 10V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok