Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM120VDA57T3G

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Paket/Kılıf
SP3
Seri / Aile Numarası
APTM120VDA57T3G

APTM120VDA57T3G Hakkında

APTM120VDA57T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 1200V Drain-Source voltaj dayanımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 17A continuous drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri, switch modlu güç kaynakları (SMPS), inverter ve motor kontrol devrelerinde yer alır. 390W maksimum güç kapasitesi, 684mOhm RDS(on) değeri ve 187nC gate charge özellikleri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. SP3 kasa tipi ile chassis mount uygulamalarına uygundur. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 187nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5155pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Part Status Obsolete
Power - Max 390W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok