Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM120H57FT3G
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM120H57FT3G
APTM120H57FT3G Hakkında
APTM120H57FT3G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel MOSFET transistördür. 1200V (1.2kV) Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 17A sürekli Drain akımı kapasitesine sahiptir. H-Bridge konfigürasyonunda 4 transistör içeren bu bileşen, 684mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığını destekleyen bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrol ve inverter uygulamalarında kullanılır. Chassis Mount paketlemesi ve SP3 kasa türü ile endüstriyel ve profesyonel cihazlarda yer alır. Bileşen halen üretim dışında (Obsolete) olup, arşiv ve bakım çalışmalarında gerekli olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 684mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok