Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM120H29FG

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Paket/Kılıf
SP6
Seri / Aile Numarası
APTM120H29FG

APTM120H29FG Hakkında

APTM120H29FG, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonunda bir MOSFET transistör dizisidir. 1200V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan aktif bir komponendir. SP6 chassis mount pakette sunulan bu bileşen, 348mOhm on-resistance değeri ve 374nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen APTM120H29FG, 780W maksimum güç sınırlaması ile şekillendirici devreler, motor kontrol uygulamaları, enerji dönüştürme sistemleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate geriliminde 5V threshold voltajı ile güvenilir anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Part Status Active
Power - Max 780W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok