Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM120H140FT1G
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTM120H140
APTM120H140FT1G Hakkında
APTM120H140FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge MOSFET dizisidir. 1200V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.68Ω on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 208W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate charge 145nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve yüksek voltaj switching uygulamalarında tercih edilir. SP1 paket tipi ile chassis mount yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.68Ohm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok