Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM120DDA57T3G

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Paket/Kılıf
SP3
Seri / Aile Numarası
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G Hakkında

APTM120DDA57T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 1200V (1.2kV) Drain to Source gerilimi ve 17A sürekli Drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 390W maksimum güç kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. SP3 kasa tipi ile chassis monte edilmek üzere tasarlanmıştır. 684mOhm RDS(on) değeri ve -40°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı, farklı ortamlarda güvenilir işletim sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 187nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5155pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Part Status Obsolete
Power - Max 390W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok