Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM120A80FT1G

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTM120A80FT1

APTM120A80FT1G Hakkında

APTM120A80FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET Half Bridge yapılandırmasındaki transistörlü bir dizisidir. 14A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 960mOhm maksimum drain-source direnci ve 260nC gate charge değerleri, anahtarlama hızı ve güç verimini belirler. SP1 chassis mount paketi ile endüstriyel kontrol devrelerine, güç invertörlerine ve motor sürücü uygulamalarına entegre edilebilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Lütfen dikkat: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6696pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok