Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM120A65FT1G
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTM120A65FT
APTM120A65FT1G Hakkında
APTM120A65FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V 16A kapasiteli 2 N-Channel (Half Bridge) konfigürasyonlu MOSFET transistörüdür. Maksimum 390W güç yönetme kapasitesi ile endüstriyel ve enerji dönüşüm uygulamalarında kullanılmaktadır. 780mOhm Rds(on) değeri ile düşük sıcaklık kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Çip-Scale paket (SP1) ile chassis mount konfigürasyonuna sahiptir. Yüksek voltaj anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7736pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok