Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM10HM09FT3G

MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

Paket/Kılıf
SP3
Seri / Aile Numarası
APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G Hakkında

APTM10HM09FT3G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonlu MOSFET dizisidir. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 139A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 350nC gate charge ve 9875pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. SP3 chassis mount paketi endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında montaj kolaylığı sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 390W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Motor kontrol, güç dönüştürücüleri ve inverter devreleri gibi yüksek akımlı uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 139A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9875pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Part Status Active
Power - Max 390W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok