Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM10DSKM19T3G
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM10DSKM19T3G
APTM10DSKM19T3G Hakkında
APTM10DSKM19T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 100V drain-source voltajı ve 70A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında çalışmak için tasarlanmıştır. 21mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını düşürür. Gate charge 200nC ve input capacitance 5100pF olarak belirtilmiştir. SP3 kasa tipi ile chassis mount uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücülerinde ve anahtarlama güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok