Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM10DSKM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM10DSKM09T3G
APTM10DSKM09T3G Hakkında
APTM10DSKM09T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 139A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 390W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile switch mode güç kaynakları, motor sürücüleri ve güç dönüştürme devreleri gibi endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. SP3 chassis mount paketi ile monte edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, 4V gate threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 139A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok