Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM10DHM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM10DHM09T3G
APTM10DHM09T3G Hakkında
APTM10DHM09T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörtür. 100V drain-source gerilimi ve 139A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Asymmetrical konfigürasyondaki bu bileşen, 10mΩ on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. 390W maksimum güç harcaması ve -40°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygun tasarlanmıştır. SP3 paketindeki chassis mount tipi, güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge karakteristiği 350nC (10V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 139A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok