Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM10DDAM19T3G
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM10DDAM19T3G
APTM10DDAM19T3G Hakkında
APTM10DDAM19T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21mOhm maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. 200nC gate charge ve 5100pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. SP3 DIP paketinde sunulan komponent, endüstriyel ve ticari güç yönetimi, motor kontrol, inverter ve DC-DC konvertör devrelerinde uygulanır. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında işletim yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok