Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM10DDAM09T3G
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM10DDAM09T3G
APTM10DDAM09T3G Hakkında
APTM10DDAM09T3G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 100V drain-source gerilimi ve 139A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10mOhm RDS(on) değeri ile düşük kaçış kayıpları sağlar. SP3 chassis mount paketlemesine sahiptir. 390W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle güç elektroniği, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel sistemlerde yer bulur. -40°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş statüdedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 139A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok