Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100VDA35T3G
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM100VDA35T3G
APTM100VDA35T3G Hakkında
APTM100VDA35T3G, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V (1kV) drain-source voltajında çalışan dual N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 22A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SP3 Chassis Mount paketi içinde iki MOSFET transistörün entegre edilmesi sağlanır. Rds(on) değeri 420mΩ (10V, 11A) olup, 390W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate charge 186nC (10V) ve input capacitance 5200pF (25V) değerlerine sahiptir. Vgs(th) eşik gerilimi maksimum 5V'dir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme devreleri gibi alanlarda kullanım bulabilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok