Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100TDU35PG
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP6
- Seri / Aile Numarası
- APTM100TDU35
APTM100TDU35PG Hakkında
APTM100TDU35PG, Microchip Technology tarafından üretilen 6 kanal N-Channel MOSFET transistörüdür. 1000V (1kV) drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Standart FET tasarımı ile 3-fazlı köprü konfigürasyonlarında uygulanabilir. 420mOhm RDS(on) değeri ile enerji dönüşüm sistemlerinde, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. SP6-P kasa tipi ile şasi montajı destekler. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 390W güç dağıtımı yapabilir. Maksimum 5V gate threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | SP6-P |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok