Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100H80FT1G
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTM100H80FT1G
APTM100H80FT1G Hakkında
APTM100H80FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel MOSFET H-Bridge transistör dizisidir. 1000V (1kV) Drain-Source voltaj kapasitesi ve 11A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 960mOhm (10V, 9A) RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilmiştir. 150nC gate charge ve 3876pF input kapasitans karakteristikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesine imkan tanır. SP1 kasa tipi ile chassis mount yapı sunar. Motor kontrolü, invertör devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Ürün üretim dışıdır (obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 208W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok