Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM100H46FT3G

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Paket/Kılıf
SP3
Seri / Aile Numarası
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G Hakkında

APTM100H46FT3G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonlu MOSFET dizisidir. 1000V (1kV) yüksek voltaj dayanımı ve 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 552mOhm RDS(on) değeri (16A, 10V şartlarında) ve 260nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama kayıplarını sınırlandırır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. SP3 pakette chassis mount konfigürasyonunda sunulan bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Part Status Active
Power - Max 357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 552mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok