Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100H35FT3G
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM100H35FT3G
APTM100H35FT3G Hakkında
APTM100H35FT3G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonunda MOSFET transistör dizisidir. 1000V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 420mΩ on-state direnç (@11A, 10V) ve 186nC gate charge (@10V) ile güç anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, elektrik çevirici sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. SP3 chassis mount paketi ile monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok