Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTM100H18FG

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Paket/Kılıf
SP6
Seri / Aile Numarası
APTM100H18FG

APTM100H18FG Hakkında

APTM100H18FG, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel H-Bridge konfigürasyonlu MOSFET transistör dizisidir. 1000V (1kV) drain-source gerilim (Vdss) kapasitesinde çalışabilen bu bileşen, 43A sürekli drain akımı (Id) sağlamaktadır. SP6 chassis mount paketinde sunulan transistör, maksimum 780W güç yönetebilir ve 210mΩ (10V Vgs'de, 21.5A'da) RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge karakteristiği 372nC olup, input kapasitansi 10400pF'dir. -40°C ile 150°C (TJ) sıcaklık aralığında güvenli şekilde çalışan bu MOSFET, H-bridge motor kontrol uygulamaları, güç konverteri tasarımları ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Vgs(th) eşik gerilimi 5V'dur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Part Status Active
Power - Max 780W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 21.5A, 10V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok