Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100DSK35T3G
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM100DSK35T3
APTM100DSK35T3G Hakkında
APTM100DSK35T3G, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V/22A dual N-channel MOSFET transistörüdür. SP3 paket tipi ile chassis mount uygulamalarında kullanılır. 420mOhm (@ 11A, 10V) RDS(on) ile ve 390W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlama ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığını destekler. 5V @ 2.5mA gate threshold voltajı ve 186nC (@ 10V) gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlamaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok