Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100DDA35T3G
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM100DDA35T3G
APTM100DDA35T3G Hakkında
APTM100DDA35T3G, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V dual N-Channel MOSFET transistörüdür. SP3 chassis mount pakette sunulan bu komponent, 22A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 390W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Rds(On) değeri 10V gate geriliminde 420mΩ olup, 5V gate eşik gerilimi ile kontrol edilir. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç dönüşüm devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Gate charge 186nC ve input capacitance 5200pF olarak belirtilmiştir. Komponent, Microchip Technology tarafından eskimiş (obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 390W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok