Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100A46FT1G
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTM100A46FT1G
APTM100A46FT1G Hakkında
APTM100A46FT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 2 kanallı N-Channel MOSFET Half Bridge bileşenidir. 1000V (1kV) Drain-Source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 552mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 260nC olarak belirtilmiş olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. SP1 paket tipinde sunulan bu transistör, güç kaynağı devreleri, invertörler, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 357W güç tüketimine sahiptir. Bileşen güncel üretimde bulunmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 357W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 552mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok