Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100A23SCTG
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP4
- Seri / Aile Numarası
- APTM100A23SC
APTM100A23SCTG Hakkında
APTM100A23SCTG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 1000V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Half-bridge konfigürasyonundaki bu bileşen, güç elektronikleri, invertörler, AC-DC konverterler ve endüstriyel sürücü devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 270mOhm on-resistance değeri ve 308nC gate charge özellikleri ile karakterize edilir. Chassis mount SP4 paketinde sunulan komponent, -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde klasik Si MOSFET'lerden daha düşük kayıplar ve daha yüksek anahtarlama hızları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP4 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 694W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | SP4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok