Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100A13SG
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP6
- Seri / Aile Numarası
- APTM100A13SG
APTM100A13SG Hakkında
APTM100A13SG, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V/65A kapasiteli dual N-channel MOSFET transistördür. Half-bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1250W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 156mOhm on-state direnç (Rds) ile endüstriyel güç dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücüler gibi uygulamalarda yer alır. SP6 chassis mount paketi ile montajlanır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 10V kapı voltajında 562nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok