Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100A13DG
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP6
- Seri / Aile Numarası
- APTM100A13DG
APTM100A13DG Hakkında
APTM100A13DG, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V/65A gücünde N-Channel MOSFET transistördür. Half bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 156mΩ (10V, 32.5A) üzerinde düşük RDS(on) direnci ve 562nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan APTM100A13DG, güç kaynakları, motor kontrolü, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. SP6 paketi içindeki bileşen chassis mount montajına uygun olup, 1250W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok