Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTM100A12STG
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTM100A12
APTM100A12STG Hakkında
APTM100A12STG, Microchip Technology tarafından üretilen 1000V/68A kapasiteli 2 adet N-Channel MOSFET içeren half-bridge konfigürasyonlu bir dizi komponentdir. SP3 paket tipi ile chassis mount uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 120mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip olan bu MOSFET dizisi, 1250W maksimum güç disipasyonuna ve -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 616nC gate charge ve 17400pF input capacitance değerleri, kontrol devresi tasarımında göz önünde bulundurulması gereken parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 616nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17400pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 1250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 34A, 10V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok