IGBT Transistörler - Modüller

APTGT35H120T1G

IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G Hakkında

APTGT35H120T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/55A Full Bridge Inverter IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve DC-AC inverterlerde kullanılmaktadır. SP1 paketi ile chassis mount tipi kuruluma sahiptir. Maksimum güç kapasitesi 208W, Vce(on) değeri 2.1V (15V, 35A koşullarında) olarak belirtilmiştir. Bileşen -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve yerleşik NTC termistör içerir. Daha düşük kayıp ve hızlı anahtarlama özellikleri ile yüksek verimli güç uygulamalarına uygundur. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 55 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250 µA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 208 W
Supplier Device Package SP1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok