IGBT Transistörler - Modüller

APTGT30A170D1G

IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1

Paket/Kılıf
D1
Seri / Aile Numarası
APTGT30A170D1G

APTGT30A170D1G Hakkında

APTGT30A170D1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1700V/45A rated IGBT modülüdür. Half Bridge (yarım köprü) konfigürasyonunda tasarlanan bu modül, Trench Field Stop teknolojisi kullanarak hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. D1 paketi ile Chassis Mount montajına uygun olan komponent, 210W maksimum güç seviyesinde çalışmaktadır. 2.4V Vce(on) değeri ile verimli iletim karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, inverter devreler, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 3 mA maksimum kapalı-durum sızıntı akımı ile düşük statik kayıp özellikleri bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 45 A
Current - Collector Cutoff (Max) 3 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Package / Case D1
Part Status Market
Power - Max 210 W
Supplier Device Package D1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok