IGBT Transistörler - Modüller

APTGT200DH120G

IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6

Paket/Kılıf
SP6
Seri / Aile Numarası
APTGT200DH120G

APTGT200DH120G Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen APTGT200DH120G, 1200V/280A kapasitesinde bir IGBT modülü transistörlüdür. Asymmetrical Bridge konfigürasyonu ile tasarlanan bu komponent, Trench Field Stop IGBT teknolojisini kullanmaktadır. Maksimum 890W güç dağıtımı kapasitesine sahip olup, -40°C ile 150°C arasında çalışır. SP6 chassis mount paket tipinde sunulan modül, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverter devreleri ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılmaktadır. 2.1V on-state voltajı ve 350µA collector cutoff akımı ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Asymmetrical Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 280 A
Current - Collector Cutoff (Max) 350 µA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Part Status Active
Power - Max 890 W
Supplier Device Package SP6
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok