Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC90H12T2G

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

Paket/Kılıf
SP2
Seri / Aile Numarası
APTC90H12T2G

APTC90H12T2G Hakkında

APTC90H12T2G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 kanal N-channel MOSFET transistör dizisidir. 900V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, Super Junction teknolojisi kullanarak yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 30A sürekli drenaj akımı ve 120mOhm RDS(on) değeri ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama elemanı olarak çalışır. H-Bridge konfigürasyonunda düzenlenmiş dört adet transistörün yer aldığı bu dizi, özellikle motor sürücüleri, invertörler ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücülerinde uygulanır. Çalışma sıcaklığı -40°C ile 150°C arasında değişebilmektedir. SP2 kasa tipi ile chassis mount uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
FET Feature Super Junction
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 100V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP2
Part Status Obsolete
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package SP2
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok