Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTC90H12T1G
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTC90H12T1G
APTC90H12T1G Hakkında
APTC90H12T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 900V drain-source voltajında 30A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bir super junction FET'tir. H-bridge konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 120mOhm'luk düşük on-resistance (Rds) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında enerji kaybını minimumda tutar. Gate charge 270nC olup, 6800pF input kapasitanına sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 250W maksimum güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Endüstriyel sürücü kontrol, güç dönüştürücü ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SP1 kasa tipi ile chassis mount yapılır. Ürün status olarak obsolete olup, yerini yeni serilere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok