Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC90AM60T1G

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC90AM60T

APTC90AM60T1G Hakkında

APTC90AM60T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 900V süper junction MOSFET transistör dizisidir. 2 N-kanallı Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 59A sürekli drain akımı ve 60mΩ (52A, 10V'ta) RDS(on) değeri ile çalışmaktadır. Maksimum 462W güç tüketimi kapasitesi bulunan APTC90AM60T1G, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. SP1 kasa türünde chassis mount olarak yapılmış olan bileşenin çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 150°C arasındadır. Gate Charge değeri 540nC (10V'ta) ve Input Capacitance değeri 13600pF (100V'ta) olup, Vgs(th) threshold gerilimi maksimum 3.5V (6mA'ta) seviyesindedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
FET Feature Super Junction
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 462W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 52A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok