Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTC80H29T1G
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTC80H29T1G
APTC80H29T1G Hakkında
APTC80H29T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel MOSFET H-Bridge transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 15A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. SP1 chassis mount paket tipi ile sağlanan bu transistör, 290mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 90nC gate charge ve 2254pF input capacitance özellikleri kontrol devresi tasarımında önemli parametrelerdir. 156W maksimum güç seviyeleri ile orta düzey güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 156W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok