Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC80H15T1G

MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G Hakkında

APTC80H15T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel MOSFET H-Bridge dizisidir. 800V Drain to Source voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 28A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, anahtarlama ve invertör uygulamalarında çalışır. SP1 paket tipiyle chassis mount konfigürasyonunda sunulan bu MOSFET, 150mOhm RDS(on) değeri ve 180nC gate charge karakteristiği sayesinde verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunarak, endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
FET Feature Standard
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Active
Power - Max 277W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok