Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC80A15T1G

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC80A15T1G

APTC80A15T1G Hakkında

APTC80A15T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 28A sürekli drain akımı kapasitesi sayesinde güç elektronikleri, inverter devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. 150mΩ RDS(on) değeri ile açık durumda düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir operasyon imkanı verir. SP1 paket tipi ile chassis mount yapısında sunulur. Maks 277W güç yönetim kapasitesi ve 180nC gate charge özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerine uygunluğunu gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 277W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok