Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC60DSKM45CT1G

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC60DSKM45CT1G

APTC60DSKM45CT1G Hakkında

APTC60DSKM45CT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V/49A kapasitesinde çift N-Kanallı MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisini kullanan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (45mOhm @ 24.5A, 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. SP1 paketi içinde sıva montajı için tasarlanmıştır. Güç seviyesi maksimum 250W, çalışma sıcaklığı aralığı -40°C ile 150°C arasındadır. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverter devreleri ve indüktif yükler ile çalışan endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. Gate Charge 150nC @ 10V, Input Capacitance 7200pF @ 25V özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Super Junction
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok