Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTC60DDAM70CT1G
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTC60DDAM70CT1G
APTC60DDAM70CT1G Hakkında
APTC60DDAM70CT1G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V 39A kapasiteli çift N-channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, 70mOhm drain-source direnç ve 259nC gate charge değerlerine sahiptir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında 250W güç disipe edebilen bu transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. SP1 paket tipinde sunulan komponent, chassis mount montaj şekline sahiptir. Vgs(th) değeri 3.9V ile gates kontrol gerilimi açısından düşük tetikleme özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 39A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok