Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTC60DDAM45T1G
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTC60DDAM45T1G
APTC60DDAM45T1G Hakkında
APTC60DDAM45T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V Drain-Source gerilim ile 49A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (45mΩ @ 24.5A, 10V) ile verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 150nC gate charge ve 7200pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Dual Buck Chopper konfigürasyonu ile tasarlanan bu transistör, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek verimli AC/DC dönüştürücü devrelerde uygulanabilir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sağlar ve 250W maksimum güç dissipasyonu kapasitesindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | 2 N Channel (Dual Buck Chopper) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok