Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC60AM83B1G

MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC60AM83B

APTC60AM83B1G Hakkında

APTC60AM83B1G, Microchip Technology tarafından üretilen 3 N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olan bu bileşen, 600V Drain-Source gerilimi ve 36A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SP1 paket formatında sunulan komponent, 83mOhm (10V, 24.5A) on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 250W maksimum güç disipasyonu kapasitesine ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve boost chopper devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Super Junction
FET Type 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 24.5A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok