Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC60AM70T1G

MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC60AM70T1G

APTC60AM70T1G Hakkında

APTC60AM70T1G, Microchip Technology tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda bir power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 70mOhm on-state direnç (Rds On) ile enerji kaybı minimuma indirilmiştir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponentin maksimum güç yayınlama kapasitesi 250W'tır. Gate charge özelliği 259nC ve input kapasitansi 7000pF'dir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve switched-mode güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SP1 kasa tipinde Chassis Mount olarak sunulmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Obsolete
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok