Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTC60AM45B1G

MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1

Paket/Kılıf
SP1
Seri / Aile Numarası
APTC60AM45B

APTC60AM45B1G Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen APTC60AM45B1G, 3 adet N-channel MOSFET'ten oluşan bir dizi konfigürasyonudur. 600V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ve 49A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Phase leg ve boost chopper circuit topolojileri başta olmak üzere switch-mode güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel konvertörlerde etkin bir şekilde uygulanabilir. RDS(on) değeri 45mOhm ile düşük kayıp yönetimi sağlar. SP1 kasa paketi chassis mount kurulum sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir operasyon sunar. 250W maksimum güç dağıtımı ve 150nC gate charge, hızlı anahtarlama işlemi ve enerji açısından verimli tasarımları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP1
Part Status Active
Power - Max 250W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok